Search Results - "Abdullayev, Jo'shqin Sh."

Modeling of Optoelectronic Properties in pSi/n-CdmZn1−mS Heterojunctions: Effects of Composition and Temperature.

Authors: Abdullayev, Jo'shqin Sh. Sapaev, Ibrokhim B. Kadirov, Sardor R. et al.

Source: Journal of Electronic Materials; Dec2025, Vol. 54 Issue 12, p11607-11617, 11p

THE ROLE OF RECOMBINATION TYPES IN EFFICIENCY LIMITS OF RADIAL p-n JUNCTIONS BASED ON Si AND GaAs.

Authors: Abdullayev, Jo'shqin Sh. Sapaev, Ibrokhim B. Kadirov, Sardor R.

Source: East European Journal of Physics. 2025, Issue 2, p252-257. 6p.

INFLUENCE OF LINEAR DOPING PROFILES ON THE ELECTROPHYSICAL FEATURES OF p-n JUNCTIONS.

Alternate Title: ВПЛИВ ЛІНІЙНИХ ПРОФІЛІВ ЛЕГУВАННЯ НА ЕЛЕКТРОФІЗИЧНІ ОСОБЛИВОСТІ P-N-ПЕРЕХОДІВ

Authors: Abdullayev, Jo'shqin Sh.¹ j.sh.abdullayev6@gmail.com

Source: East European Journal of Physics. 2025, Issue 1, p245-249. 5p.

ANALYTIC ANALYSIS OF THE FEATURES OF GaAs/Si RADIAL HETEROJUNCTIONS: INFLUENCE OF TEMPERATURE AND CONCENTRATION.

Alternate Title: АНАЛІТИЧНИЙ АНАЛІЗ ОСОБЛИВОСТЕЙ РАДІАЛЬНИХ ГЕТЕРОПЕРЕХОДІВ GaAs/Si: ВПЛИВ ТЕМПЕРАТУРИ ТА КОНЦЕНТРАЦІЇ

Authors: Abdullayev, Jo'shqin Sh. Sapaev, Ibrokhim B.

Source: East European Journal of Physics. 2025, Issue 1, p204-210. 7p.

THERMAL EXPANSION CHARACTERISTICS OF PLANAR AND RADIAL Si/GaAs p-n HETEROJUNCTIONS.

Alternate Title: ХАРАКТЕРИСТИКИ ТЕПЛОВОГО РОЗШИРЕННЯ ПЛОСКИХ ТА РАДІАЛЬНИХ ГЕТЕРОПЕРЕХОДІВ p-n Si/GaAs.

Authors: Abdullayev, Jonibek Sh. Ibragimova, Madinabonu Sh. Abdullayev, Jo'shqin Sh. et al.

Source: East European Journal of Physics. 2026, Issue 1, p388-395. 8p.

CRYOGENIC MATERIAL AND ELECTROPHYSICAL CHANGES IN Si AND GaAs.

Alternate Title: КРІОГЕННІ МАТЕРІАЛЬНІ ТА ЕЛЕКТРОФІЗИЧНІ ЗМІНИ В Si ТА GaAs.

Authors: Abdullayev, Jonibek Sh. Ibragimova, Madinabonu Sh. Abdullayev, Jo'shqin Sh. et al.

Source: East European Journal of Physics. 2026, Issue 1, p343-350. 8p.

MATHEMATICAL MODELING OF ELECTROSTATIC POTENTIAL IN RADIAL AND PLANAR p-n JUNCTIONS: A COMPARATIVE STUDY.

Alternate Title: МАТЕМАТИЧНЕ МОДЕЛЮВАННЯ ЕЛЕКТРОСТАТИЧНОГО ПОТЕНЦІАЛУ В РАДІАЛЬНИХ І ПЛАНАРНИХ p-n ПЕРЕХОДАХ: ПОРІВНЯЛЬНЕ ДОСЛІДЖЕННЯ.

Authors: Qalandarova, Dildora A. Ibragimova, Madinabonu Sh. Abdullayev, Jo'shqin Sh. et al.

Source: East European Journal of Physics. 2026, Issue 1, p333-342. 10p.

FACTORS INFLUENCING THE IDEALITY FACTOR OF SEMICONDUCTOR p-n AND p-i-n JUNCTION STRUCTURES AT CRYOGENIC TEMPERATURES.

Alternate Title: ФАКТОРИ, ЩО ВПЛИВАЮТЬ НА КОЕФІЦІЄНТ ІДЕАЛЬНОСТІ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ p-n ТА p-i-n ПЕРЕХІДНИХ СТРУКТУР ПРИ КРІОГЕННИХ ТЕМПЕРАТУРАХ

Authors: Abdullayev, Jo'shqin Sh. Sapaev, Ibrokhim B.

Source: East European Journal of Physics. 2024, Issue 4, p329-333. 5p.

OPTIMIZATION OF THE INFLUENCE OF TEMPERATURE ON THE ELECTRICAL DISTRIBUTION OF STRUCTURES WITH RADIAL p-n JUNCTION STRUCTURES.

Alternate Title: ОПТИМІЗАЦІЯ ВПЛИВУ ТЕМПЕРАТУРИ НА ЕЛЕКТРИЧНИЙ РОЗПОДІЛ КОНСТРУКЦІЙ ІЗ РАДІАЛЬНИМИ СТРУКТУРАМИ P-N ПЕРЕХОДУ.

Authors: Abdullayev, Jo‘shqin Sh. Sapaev, Ibrokhim B.

Source: East European Journal of Physics. 2024, Issue 3, p344-349. 6p.

BANDGAP-ENGINEERED pSi/n-CdxS1-x HETEROJUNCTIONS: EFFECT OF COMPOSITION ON OPTOELECTRONIC BEHAVIOR.

Alternate Title: ГЕТЕРОПЕРЕХОДИ pSi/n-CdxS1-x, СТВОРЕНІ ЗА ДОПОМОГОЮ ТЕХНОЛОГІЇ BANDGAP: ВПЛИВ СКЛАДУ НА ОПТОЕЛЕКТРОННІ ВЛАСТИВОСТІ.

Authors: Sapaev, Ibrokhim B. Razzokov, Jamoliddin I. Abdullayev, Jo‘shqin Sh. et al.

Source: East European Journal of Physics. 2025, Issue 4, p442-448. 7p.