Search Results - "Ibragimova, Madinabonu Sh."

THERMAL EXPANSION CHARACTERISTICS OF PLANAR AND RADIAL Si/GaAs p-n HETEROJUNCTIONS.

Alternate Title: ХАРАКТЕРИСТИКИ ТЕПЛОВОГО РОЗШИРЕННЯ ПЛОСКИХ ТА РАДІАЛЬНИХ ГЕТЕРОПЕРЕХОДІВ p-n Si/GaAs.

Authors: Abdullayev, Jonibek Sh. Ibragimova, Madinabonu Sh. Abdullayev, Jo'shqin Sh. et al.

Source: East European Journal of Physics. 2026, Issue 1, p388-395. 8p.

CRYOGENIC MATERIAL AND ELECTROPHYSICAL CHANGES IN Si AND GaAs.

Alternate Title: КРІОГЕННІ МАТЕРІАЛЬНІ ТА ЕЛЕКТРОФІЗИЧНІ ЗМІНИ В Si ТА GaAs.

Authors: Abdullayev, Jonibek Sh. Ibragimova, Madinabonu Sh. Abdullayev, Jo'shqin Sh. et al.

Source: East European Journal of Physics. 2026, Issue 1, p343-350. 8p.

MATHEMATICAL MODELING OF ELECTROSTATIC POTENTIAL IN RADIAL AND PLANAR p-n JUNCTIONS: A COMPARATIVE STUDY.

Alternate Title: МАТЕМАТИЧНЕ МОДЕЛЮВАННЯ ЕЛЕКТРОСТАТИЧНОГО ПОТЕНЦІАЛУ В РАДІАЛЬНИХ І ПЛАНАРНИХ p-n ПЕРЕХОДАХ: ПОРІВНЯЛЬНЕ ДОСЛІДЖЕННЯ.

Authors: Qalandarova, Dildora A. Ibragimova, Madinabonu Sh. Abdullayev, Jo'shqin Sh. et al.

Source: East European Journal of Physics. 2026, Issue 1, p333-342. 10p.

BANDGAP-ENGINEERED pSi/n-CdxS1-x HETEROJUNCTIONS: EFFECT OF COMPOSITION ON OPTOELECTRONIC BEHAVIOR.

Alternate Title: ГЕТЕРОПЕРЕХОДИ pSi/n-CdxS1-x, СТВОРЕНІ ЗА ДОПОМОГОЮ ТЕХНОЛОГІЇ BANDGAP: ВПЛИВ СКЛАДУ НА ОПТОЕЛЕКТРОННІ ВЛАСТИВОСТІ.

Authors: Sapaev, Ibrokhim B. Razzokov, Jamoliddin I. Abdullayev, Jo‘shqin Sh. et al.

Source: East European Journal of Physics. 2025, Issue 4, p442-448. 7p.