Redistribution of radiative recombination centers in the SiC/por-SiC/Dy2O3 structure under the influence of athermal microwave irradiation.

Saved in:
Bibliographic Details
Title: Redistribution of radiative recombination centers in the SiC/por-SiC/Dy2O3 structure under the influence of athermal microwave irradiation.
Alternate Title: Перерозподіл центрів випромінювальної рекомбінації в структурі SiC/por-SiC/Dy2O3 під впливом атермічної СВЧ дії.
Authors: Okhrimenko, O. B.1 olga@isp.kiev.ua, Bacherikov, Yu. Yu.1 yuyu@isp.kiev.ua, Kolomys, O. F.1 olkolomys@gmail.com, Maziar, D. M.1 fmbfiz13.mazyar@kpnu.edu.ua, Strelchuk, V. V.1 viktor.strelchuk@ccu-semicond.net, Lytvyn, V. K.1 lytvet@ukr.net, Konakova, R. V.1 konakova@isp.kiev.ua
Source: Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2024, Vol. 27 Issue 3, p274-279. 6p.
Database: Academic Search Ultimate
Description
ISSN:15608034
DOI:10.15407/spqeo27.03.274