Se construyeron dispositivos electrónicos que presentaban la propiedad de efecto de campo, utilizando como material semiconductor el grafeno oxidado obtenido mediante la técnica de pirólisis y usando como precursor el bambú Angustifolia Kunth. Lo anterior fue logrado en colaboración con el Instituto...
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https://revistas.sena.edu.co/index.php/conciencia/article/view/2399 |
| Summary: | Se construyeron dispositivos electrónicos que presentaban la propiedad de efecto de campo, utilizando como material semiconductor el grafeno oxidado obtenido mediante la técnica de pirólisis y usando como precursor el bambú Angustifolia Kunth. Lo anterior fue logrado en colaboración con el Instituto Interdisciplinario de las Ciencias de la Universidad del Quindío – Colombia. El material fue depositado en sustratos flexibles y aislantes por medio de exfoliación y se le fabricaron tres electrodos de indio (In – 99,99%) a través del método de evaporación al vacío. Posteriormente, los dispositivos fueron caracterizados eléctricamente mediante la configuración típica de transistores de efecto de campo, obteniéndose como resultado curvas de corriente-voltaje que muestran variaciones significativas cuando el material semiconductor entra en contacto con pequeñas muestras de sangre. |
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