Se construyeron dispositivos electrónicos que presentaban la propiedad de efecto de campo, utilizando como material semiconductor el grafeno oxidado obtenido mediante la técnica de pirólisis y usando como precursor el bambú Angustifolia Kunth. Lo anterior fue logrado en colaboración con el Instituto...

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Main Author: Yanza, et.al, Vanessa
Format: Article
Online Access: https://revistas.sena.edu.co/index.php/conciencia/article/view/2399
_version_ 1862436022323773440
author Yanza, et.al, Vanessa
author_facet Yanza, et.al, Vanessa
description Se construyeron dispositivos electrónicos que presentaban la propiedad de efecto de campo, utilizando como material semiconductor el grafeno oxidado obtenido mediante la técnica de pirólisis y usando como precursor el bambú Angustifolia Kunth. Lo anterior fue logrado en colaboración con el Instituto Interdisciplinario de las Ciencias de la Universidad del Quindío – Colombia. El material fue depositado en sustratos flexibles y aislantes por medio de exfoliación y se le fabricaron tres electrodos de indio (In – 99,99%) a través del método de evaporación al vacío. Posteriormente, los dispositivos fueron caracterizados eléctricamente mediante la configuración típica de transistores de efecto de campo, obteniéndose como resultado curvas de corriente-voltaje que muestran variaciones significativas cuando el material semiconductor entra en contacto con pequeñas muestras de sangre.
format Article
id citeisa-2399
institution OJS - CONCIENCIA
record_format dc
spellingShingle Construcción y caracterización de dispositivos sensibles a parámetros sanguíneos a base de grafeno oxidado
Yanza, et.al, Vanessa
title Construcción y caracterización de dispositivos sensibles a parámetros sanguíneos a base de grafeno oxidado
url https://revistas.sena.edu.co/index.php/conciencia/article/view/2399